无掩膜电子束直写光刻技术交付65nm原型

2021-01-06 19:30字体:
  

  在成功的进行了90nm应用后,e-Shuttle公司日前交付了采用电子束直写(EBDW)光刻技术的65nmCMOS逻辑电路原型。该公司表示,这是EBDW技术第一次在复杂逻辑芯片制造领域的全面(full-scale)应用。

  日本富士通和Advantest公司于2006年底建立了e-Shuttle公司,该公司主要提供先进大规模集成电路的原型服务。从富士通的设计到采用多项目平台与客户共担开发成本,e-Shuttle专注于shuttleservice(用一个晶圆试制多个品种芯片的服务)。在其300mm晶圆shuttleservice中,他们利用电子束直写技术制作通孔层,极大地缩减了掩膜版在形成极细互连的通孔层上带来的成本。

  在90nm工艺节点,e-Shuttle曾为IC设计公司eASIC制作了ASIC结构。通过利用EBDW技术,制造出单层的通孔互连图形,从而提供了很短的交货周期。据公司总裁HaruoTsuchikawa介绍,e-Shuttle公司目前进行40nm工艺技术研发,预计于2008年底提供试制能力。

  的重要补充。事实上,e-Shuttle宣称,他们与设计(DesignHouse)伙伴的合作,其中也包括了掩膜版制造商,如大日本印刷(DNP)、凸版印刷(ToppanPrinting)和Hoya,共同为客户提供IC原型服务。

  “无掩膜支持商e-Shuttle与掩膜版制造商的合作,可以认为是业界发展方向的一个重要信号,”Tsuchikawa表示,“在日本的这些合作,是我们与业界的第一次联盟,我们也致力于同国际上原型公司的合作关系,目前正在与来自美国、欧洲和中国的这些公司进行协商。”

  e-Shuttle同时宣布了其产能的扩张,将于本月底首次展示其第二个电子束光刻工作站。第一个光刻工作站于2007年11月投入服务运营,利用300mm晶圆制造全面的产品。

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